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[发明专利]屏蔽电极-CN200410038587.1无效
发明人：罗伊·厄尔·扬二世;凯文·L·亚历山大;吉恩·P·阿尔滕布格尔;瓦尔斯·E·豪 -专利权人：伊利诺斯工具公司
申请日： 2004-05-08 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： B05B5/08 文献下载
摘要：一种涂覆材料施放装置，包括：输出口，涂覆材料通过输出口施放；以及从施放装置处伸出的电极，该电极邻近输出口，用于将电荷传递给通过输出口施放的涂覆材料。涂覆材料施放装置还包括屏蔽件，用于屏蔽该电极的一部分，该被屏蔽的部分邻近电极与施放装置的连接位置。
屏蔽电极

[发明专利]屏蔽电极-CN03811749.5无效
发明人：托马斯·奇拉 -专利权人：西门子公司
申请日： 2003-05-06 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01H33/24 文献下载
摘要：为了使电场均匀化，在一些电气设备(1)上设置一些屏蔽电极(5，6)。这些屏蔽电极(5，6)可借助卡锁连接与所述电气设备(1)相连。
屏蔽电极

[发明专利]一种七电极电阻率测量探管-CN201410749286.3在审
发明人：陈仁才 -专利权人：重庆地质仪器厂
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种七电极电阻率测量探管，所述探管包括：位于所述探管中心位置的导电的主电极，第一屏蔽电极，一对所述第一屏蔽电极对称设置于所述主电极两侧，第二屏蔽电极，一对所述第二屏蔽电极对称设置于所述一对第一屏蔽电极两侧，第三屏蔽电极，一对所述第三屏蔽电极对称设置于所述一对第二屏蔽电极两侧，所述主电极、所述第一屏蔽电极、所述第二屏蔽电极以及所述第三屏蔽电极位于同一直线上，所述第三屏蔽电极的长度大于所述第二屏蔽电极的长度，且所述第二屏蔽电极的长度大于所述第一屏蔽电极的长度。通过利用屏蔽电极的不同长度来控制主电极的聚焦能力，可在钻孔中做深、中、浅电阻率测量。
一种电极电阻率测量

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201510220017.2有效
发明人：刘晓那;王宝强 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：所述阵列基板包括衬底基板、栅极线、屏蔽电极层、栅极绝缘层、数据线、钝化层和像素电极，其中，屏蔽电极层包括第一屏蔽电极层和第二屏蔽电极层；第一屏蔽电极层为非透明电极层，第二屏蔽电极层为透明电极层，第一屏蔽电极层与所述栅极线位于同一层，第二屏蔽电极层与第一屏蔽电极层直接接触设置；第二屏蔽电极层在衬底基板上的正投影区域与像素电极在衬底基板上的正投影区域部分重叠。
屏蔽电极层衬底基板阵列基板正投影区域显示装置像素电极栅极线非透明电极层透明电极层栅极绝缘层对位工艺钝化层数据线同一层透过率制作

[发明专利]屏蔽栅功率器件及其制造方法-CN201610357387.5有效
发明人：肖胜安;李东升;曾大杰 -专利权人：深圳尚阳通科技有限公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅功率器件，包括：形成于沟槽中的屏蔽电极和沟槽栅电极，屏蔽电极分成底部和顶部屏蔽电极，底部屏蔽电极和沟槽间的屏蔽介质膜的厚度在从沟槽顶部到底部渐增；剖面上，底部屏蔽电极呈倒三角形结构或倒梯形结构；顶部屏蔽电极纵向叠加在底部屏蔽电极顶部，顶部屏蔽电极宽度小于底部屏蔽电极顶边宽度，沟槽栅电极形成于顶部屏蔽电极的侧面外的沟槽中。在器件反向偏置时，屏蔽电极对漂移区进行横向耗尽，从沟槽的顶部到底部方向上，屏蔽介质膜的厚度呈逐渐增加的结构使漂移区的电场强度分布的均匀性增加。本发明还公开了一种屏蔽栅功率器件的制造方法。
屏蔽功率器件及其制造方法

[发明专利]井下岩石电参数测量用传感器探头-CN201510307170.9在审
发明人：孙向阳;付海博;聂在平 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于井下环境的传感器探头，包括发射电极、收集电极，发射电极电压源，发射电极电压源通过导线分别与收集电极、发射电极相连，其特征在于，还包括屏蔽电极、屏蔽电极电压源，屏蔽电极为环状结构，发射电极设置在的屏蔽电极的环内；屏蔽电极电压源通过导线分别与收集电极、屏蔽电极相连；发射电极与收集电极设置在井下采样的岩石同一侧；屏蔽电极电压源加载在屏蔽电极上，使得发射电极流出的电流能穿透导电泥浆进入岩石内部到达收集电极。
井下岩石参数测量传感器探头

[发明专利]一种具有屏蔽层的屏蔽栅MOSFET器件及其制备方法-CN201910385783.2有效
发明人：陈润泽;王立新 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有屏蔽层的屏蔽栅MOSFET器件，属于功率半导体器件技术领域，解决了现有技术难以在不牺牲器件电学性能的情况下大幅减少器件转移电容的问题。该屏蔽栅MOSFET器件的导通区包括多个周期性排列的原胞，每个所述原胞的栅极结构均包括沟槽、主屏蔽电极、两个副屏蔽电极和沟槽栅电极；其中，沟槽设置于半导体衬底上的第一导电类型的外延层中；主屏蔽电极、两个副屏蔽电极和沟槽栅电极均设置于所述沟槽内；沟槽栅电极设置于沟槽顶部，主、副屏蔽电极设置于沟槽栅电极下方，且两个副屏蔽电极对称设置于主屏蔽电极顶部两侧位置；主屏蔽电极、两个副屏蔽电极、沟槽栅电极均采用第二导电类型材料，彼此之间通过介质层隔离。
一种具有屏蔽 mosfet 器件及其制备方法

[实用新型]变直径三种探测深度高分辨率三侧向测井仪-CN201220349114.3有效
发明人：冯维龙;张连成;谭利峰;丁柱;陆敬武;曹杨;梁建军 -专利权人：中国石油天然气集团公司;大庆石油管理局
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： E21B47/04 文献下载
摘要：该测井仪包括电极探头部分和实现电路部分，电极探头部分包括主电极A0、上下屏蔽电极A1、上下屏蔽电极A2及上下屏蔽电极A3，各电极间采用CSU标准接口连接，每对上下屏蔽电极间分别通过内部导线连接；且所述的主电极与屏蔽电极A1的外径大于上下屏蔽电极A2，上下屏蔽电极A2的外径大于上下屏蔽电极A3的外径，屏蔽电极A3的外径为正常尺寸，而实现电路部分集成在主电极A0和屏蔽电极A1内部。
直径探测深度高分辨率侧向测井

[实用新型]阵列基板及显示面板-CN202221565535.X有效
发明人：黄世帅;郑浩旋 -专利权人：滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括：衬底基板；设于衬底基板上的扫描线、数据线、连接扫描线和数据线的薄膜晶体管、覆盖薄膜晶体管的介质层、覆盖介质层的滤色器，以及设于滤色器上且与薄膜晶体管连接的像素电极；设在滤色器上且位于数据线上方对应区域的屏蔽电极，屏蔽电极包括第一屏蔽电极与第二屏蔽电极，第一屏蔽电极沿第一方向的长度大于第二屏蔽电极沿第一方向的长度，增加了邻近薄膜晶体管的栅极的数据线上方对应的屏蔽电极沿第一方向的长度，从而降低了屏蔽电极的电阻，降低了屏蔽电极的屏蔽电压的衰减，提高了屏蔽电极的屏蔽效果，进而提高了显示质量。
阵列显示面板

[发明专利]一种高压电缆附件用热塑性绝缘体及其制造方法-CN202310212232.2在审
发明人：陈晓鸣;倪路瑶;吴春曦;李华忠;胡永康;王华荣;沈旭 -专利权人：江苏安靠智能输电工程科技股份有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01B17/60 文献下载
摘要：本发明提供一种高压电缆附件用热塑性绝缘体及其制造方法，属于电缆技术领域；包括高压屏蔽电极、接地屏蔽电极，所述高压屏蔽电极、所述接地屏蔽电极上固定套接有绝缘体，所述高压屏蔽电极、所述接地屏蔽电极相互靠近的一端均设置有限位平台，所述高压屏蔽电极、所述接地屏蔽电极相互靠近的一端均固定连接有限位凸台。本发明通过设置采用热塑性材料制造的高压屏蔽电极、接地屏蔽电极、绝缘体，利用热塑性材料的可二次熔融的特点，降低本装置的制作和安装难度，提高了生产效率，同时高分子热塑性材料密度小，可减轻本装置的重量，降低了现场安装难度
一种高压电缆附件塑性绝缘体及其制造方法

[实用新型]功率半导体器件-CN201820499686.7有效
发明人：约瑟夫·叶季纳科;吴小利 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该器件可包括半导体区中限定的第一沟槽屏蔽电极和第二沟槽屏蔽电极，所述第一沟槽屏蔽电极和所述第二沟槽屏蔽电极各自具有设置在有源区中的第一部分以及设置在终止区中的第二部分。所述第一沟槽屏蔽电极的沟槽和所述第二沟槽屏蔽电极的沟槽可在其间限定所述半导体区的台面。所述器件还可包括设置在所述终止区中的注入物富集区，所述注入物富集区可与所述第一沟槽屏蔽电极和所述第二沟槽屏蔽电极相交，并且可具有设置在所述半导体区的所述台面中的一部分，所述部分从所述第一沟槽屏蔽电极的所述沟槽延伸到所述第二沟槽屏蔽电极的所述沟槽
沟槽屏蔽电极半导体区功率半导体器件富集区终止区注入物台面本实用新型源区相交延伸

[实用新型]一种高压电缆附件用热塑性绝缘体-CN202320412668.1有效
发明人：陈晓鸣;倪路瑶;吴春曦;李华忠;胡永康;王华荣;沈旭 -专利权人：江苏安靠智能输电工程科技股份有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高压电缆附件用热塑性绝缘体，属于电缆技术领域；包括高压屏蔽电极、接地屏蔽电极，所述高压屏蔽电极、所述接地屏蔽电极上固定套接有绝缘体，所述高压屏蔽电极、所述接地屏蔽电极相互靠近的一端均设置有限位平台，所述高压屏蔽电极、所述接地屏蔽电极相互靠近的一端均固定连接有限位凸台。本实用新型通过设置采用热塑性材料制造的高压屏蔽电极、接地屏蔽电极、绝缘体，利用热塑性材料的可二次熔融的特点，降低本装置的制作和安装难度，提高了生产效率，同时高分子热塑性材料密度小，可减轻本装置的重量，降低了现场安装难度
一种高压电缆附件塑性绝缘体

[发明专利]一种全屏蔽高压隔离型电压互感器-CN201310695456.X有效
发明人：周峰;袁建平;姜春阳;殷小东;周利华 -专利权人：国家电网公司;中国电力科学研究院;国网安徽省电力公司电力科学研究院
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01F38/26 文献下载
摘要：本发明提供一种全屏蔽高压隔离型电压互感器，该电压互感器包括同轴安装于环状一次高压屏蔽电极（2）中的管状二次低压屏蔽电极（1）、分别固定一次高压屏蔽电极（2）和二次低压屏蔽电极（1）的法兰；固定一次高压屏蔽电极（2）的法兰（12）和法兰（23）平行设于一次高压屏蔽电极（2）外侧；固定二次低压屏蔽电极（1）的法兰（3）和法兰（4）的轴线垂直相交于二次低压屏蔽电极（1）的轴线；一次高压屏蔽电极（2）和二次低压屏蔽电极（1）均采用铝合金制作；这种全屏蔽高压隔离型电压互感器提高了电压互感器的准确度，可以实现两台单级电压互感器串联时二次电压的叠加，推动电压串联加法向更高的电压等级进行量值传递。
一种屏蔽高压隔离电压互感器

[发明专利]一种显示基板及其制造方法、显示装置-CN201810834265.X有效
发明人：舒适;姚琪;袁广才;王路;石戈 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示基板，所述显示基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的多条数据线，所述显示基板还包括至少一个屏蔽电极，所述屏蔽电极和所述数据线位于不同层中，且所述数据线所在的层位于所述屏蔽电极所在的层和所述衬底基板之间，每个所述屏蔽电极均具有与该屏蔽电极相对应的所述数据线，且所述屏蔽电极在所述数据线所在层的正投影覆盖该屏蔽电极所对应的数据线的一侧边缘，所述屏蔽电极与所述数据线绝缘间隔。本发明还提供了一种显示基板的制造方法以及一种包括所述显示基板的显示装置，所述显示基板通过在数据线的两侧形成屏蔽电极克服了数据向漏光。
一种显示及其制造方法显示装置

[实用新型]一种悬浮式屏蔽电极结构-CN202220818875.2有效
发明人：李振涛;李国宾;孙绪明;赵强;颜超;杨宇;李友前;耿兵;邱文豪;赵守国;许维硕;张继明;陈永礼;辛洋 -专利权人：山东泰开检测有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：一种悬浮式屏蔽电极结构，涉及电磁屏蔽技术领域，解决了现有技术悬浮式屏蔽电极无法对空间的电磁干扰形成有效屏蔽的问题，包括：电容屏、悬浮式屏蔽电极主体、屏蔽信号线和支撑导电杆，所述电容屏设置在支撑导电杆的上部，所述的悬浮式屏蔽电极主体设置在电容屏与支撑导电杆之间，悬浮式屏蔽电极主体与支撑导电杆之间设置有绝缘层，悬浮式屏蔽电极主体与电容屏之间设置有绝缘层，悬浮式屏蔽电极主体通过屏蔽信号线与仪器仪表的低电位电连接；由于采用屏蔽信号线将悬浮式屏蔽电极主体与仪器仪表的低电位点直接连接，不再通过支撑导电杆进行信号的传输，降低空间电磁干扰对测量精度稳定性的影响，提升了测量精度稳定性。
一种悬浮屏蔽电极结构

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